尊龙集团有限公司

中文 EN
首页
关于尊龙集团有限公司
新品宣布
120V SGT工艺N-Channel MOSFET
120V SGT工艺N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳尊龙集团有限公司科技SGT特殊工艺制程 ，凭证电机驱动和电源应用要求 ，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)性能 ，降低导通消耗和开关消耗 ，提升系统效率；
2.解决高速Gan电源应用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题 ，提升产品整体的可靠性。
产品特点 1.接纳尊龙集团有限公司科技SGT特殊工艺制程设计 ，具有更高的工艺稳固性和可靠性；
2.系列产品具有更快的开关速率 ，更小的栅电荷和更高的应用效率；
3.接纳PDFN5060封装 ，更好的热阻特征。
规格书

YJG88G12A

相关新品

P60V MOSFET ：低阻降损+散热控温,为汽车电子大功率开”绿灯“

用于工业控制的N150V MOSFET新品

TOLT系列MOSFET——BMS与储能的低阻高效功率之选

突破硅基局限 ，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效

MT-W三相方桥新品

0.05pF超低容值的ESDM系列静电�；ざ�

用于光伏微逆的SGT MOSFET 新品

三相整流�？镹5/N6产品

SMB-W封装EM540BG

小信号SOT-723新封装

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验 ，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒 ，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图